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  • 2021年9月

    2021年9月提供短波長砷化鎵PiN二極管工藝

  • 2021年9月

    2021年9月完成砷化鎵0.25μm E/D-mode pHEMT工藝的可靠度驗證并量產( PF25 )

  • 2021年8月
    2021年8月資本增加至6億元 
  • 2021年3月
    2021年3月完成砷化鎵High Ruggedness HBT工藝可靠度驗證并量產(HS03)
  • 2019年5月
    2019年5月完成砷化鎵0.25μm E-mode pHEMT工藝的可靠度驗證并量產( PE25 )
  • 2018年6月
    2018年6月取得ISO 9001質量管理體系認證
  • 2017年11月
    2017年11月完成砷化鎵HBT工藝的可靠度驗證并量產(HH01/HS02)
  • 2017年8月
    2017年8月成立福建省射頻與功率芯片制造工程研究中心
  • 2017年7月
    2017年7月開始試產砷化鎵手機功放芯片(HBT)
  • 2016年12月
    2016年12月完成第一期生產設備安裝
  • 2015年10月
    2015年10月16日公司成立
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