<menuitem id="7j5vn"><del id="7j5vn"></del></menuitem>
<var id="7j5vn"></var>
<var id="7j5vn"><strike id="7j5vn"></strike></var><cite id="7j5vn"><video id="7j5vn"><menuitem id="7j5vn"></menuitem></video></cite><var id="7j5vn"></var><var id="7j5vn"></var><cite id="7j5vn"></cite>
<var id="7j5vn"></var>
<cite id="7j5vn"></cite>
<var id="7j5vn"><video id="7j5vn"><thead id="7j5vn"></thead></video></var>
<cite id="7j5vn"></cite>
  • HBT工藝

工藝名稱:HH01
工藝特點:Low Beta

工藝名稱:HH02
工藝特點:-Low Beta & High Ruggedness

工藝名稱:HS02
工藝特點:High Beta

工藝名稱:HS03
工藝特點:High Beta & High Ruggedness

       福聯公司應用市場的需求,推出HS03工藝技術平臺,基于該平臺,客戶可進行有效的設計、流片和驗證工作,進而協助客戶重要產品在業內領先發布。

       HS03工藝技術是一款主打High linearity/High Ruggedness的HBT工藝,其高線性度和高可靠性的優良特性與福聯公司在外延技術上的突破和芯片制造工藝高度穩定性是分不開的。在工藝流程上,主要包含:黃光微影、介電層/金屬薄膜沉積、濕法/干法蝕刻以及晶片切割等半導體制造工藝;藉由該工藝,福聯可提供客戶2um射極HBT Device,TPM結構的電容,金屬層數及厚度提供多種選項供客戶選擇(1P2M/1P3M)。在外延結構上,基于傳統HBT結構及材料體系的基礎上進一步開發,其單管特性可以實現,電流增益Current Gain=120,集射極逆偏電壓BVceo =13.5V,集基極逆偏壓BVcbo=25.5V,操作頻率fT=41GHz,集基極反向操作電容變化值與傳統外延結構相比下降50%,SOA安全操作區域增加63%。

       目前該工藝技術的平臺已經幫助業界領先客戶實現4G/Wifi PA的穩定量產。未來,相信福聯HS03工藝平臺可以提供客戶一個適用于4G/5G行動通訊系統/WIFI收發功率點以及功率射頻基站等無線通信產業應用更加物美價廉的射頻代工服務解決方案。

凤凰彩票