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  • pHEMT工藝

工藝名稱:PF25
工藝特點:0.25μm E mode & 0.5μm D mode Switch with PN ESD

工藝名稱:PE25
工藝特點:0.25μm E mode & 0.5μm D mode Switch


       贗配高電子遷移率晶體管(pseudomorphic high electron mobility transistor ,PHEMT)具有高頻,高速,高功率增益和低噪聲系數等特點,因而大量應用于通訊領域,其產品廣泛分布于低噪聲放大器(LNA),射頻開關(RF Switch),功率放大器(PA)。在民用領域,片上同時集成LNA+Switch兩種器件的射頻代工解決方案成為眾多芯片設計者乃至業界所公認的優秀組合。尤其是近年來,出于提升芯片密度以降低成本及提高以pHEMT器件為核心的射頻前端產品的抗靜電能力等目的,片上同時集成ESD + LNA + Switch更是成為業界主流,其產品特性可以具備高增益,低噪聲,抗靜電能力優越等特點。

       因應市場需求,福聯公司推出PF25工藝技術平臺,基于該平臺,客戶可以實現高效融合ESD、LNA及Switch于同一工藝技術平臺上,克服了工藝不兼容,芯片面積大等難題。

       PF25工藝技術,以Enhance mode device作為LNA設計核心器件,以Depletion mode device來設計RF Switch,以PN Diode組合來提供靜電保護方案。

       在外延結構上,AlGaAs/InGaAs質界面的設計,在保證較高的遷移率水平下取得了極高的二維電子氣(2DEG)濃度,器件跨導Gmmax可達800mS/mm以上(Vth=0.3V),NFmin<0.5@12GHz。同時通過PN Diode外延結構的設計,開啟電壓1.1V,HBM>1500V@Juntion Size=60x5。

       在工藝上,藉由I-line Step曝光設備搭配微縮水洗工藝,可以實現穩定的0.25um柵極線寬;在柵極蝕刻上,通過福聯公司自主開發的半自動琥珀酸機臺的成功導入及應用,柵極蝕刻寬度穩定且缺陷密度低,BVGD可達15V;在被動元件部分,PF25技術平臺提供TPM結構電容,TaN電阻及High Epi Resistor/Low Epi Resistor,金屬走線具備2層和3層金屬的不同組合。

       總而言之,基于PF25平臺,可以提供客戶多種不同選項的pHEMT代工解決方案,實現將高性能的pHEMT產品推向市場。

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